Аналіз несправності мікросхеми IC,ICмікросхеми не можуть уникнути збоїв у процесі розробки, виробництва та використання.З підвищенням вимог людей до якості та надійності продукції робота з аналізу несправностей стає все більш важливою.Завдяки аналізу відмов мікросхеми розробники мікросхем можуть знайти дефекти в конструкції, невідповідності технічних параметрів, неправильну конструкцію та роботу тощо. Значення аналізу відмов в основному проявляється в:
Докладніше, основне значенняICаналіз несправності мікросхеми показаний у таких аспектах:
1. Аналіз відмов є важливим засобом і методом визначення механізму відмов мікросхем.
2. Аналіз несправностей надає необхідну інформацію для ефективної діагностики несправностей.
3. Аналіз відмов надає інженерам-конструкторам постійне вдосконалення та покращення дизайну мікросхеми для задоволення потреб проектних специфікацій.
4. Аналіз відмов може оцінити ефективність різних підходів до тестування, надати необхідні доповнення для виробничого тестування та надати необхідну інформацію для оптимізації та перевірки процесу тестування.
Основні етапи та зміст аналізу відмов:
◆ Розпаковування інтегральної схеми: видаляючи інтегральну схему, зберігайте цілісність функції мікросхеми, обслуговуйте матрицю, сполучні майданчики, сполучні дроти та навіть раму, а також підготуйтеся до наступного експерименту аналізу недійсності мікросхеми.
◆SEM дзеркало сканування/аналіз композиції EDX: аналіз структури матеріалу/спостереження за дефектами, звичайний аналіз мікрообластей складу елементів, правильне вимірювання розміру композиції тощо.
◆Тест зонда: електричний сигнал всерединіICможна швидко і легко отримати за допомогою мікрозонда.Лазер: мікролазер використовується для вирізання верхньої певної ділянки мікросхеми або дроту.
◆Виявлення EMMI: мікроскоп для слабкого освітлення EMMI є високоефективним інструментом аналізу несправностей, який забезпечує високочутливий і неруйнівний метод визначення несправностей.Він може виявляти та локалізувати дуже слабке світіння (у видимому та ближньому інфрачервоному діапазонах) і вловлювати струми витоку, викликані дефектами та аномаліями в різних компонентах.
◆Застосування OBIRCH (перевірка зміни значення імпедансу під впливом лазерного променя): OBIRCH часто використовується для аналізу високого та низького опору всередині ICчіпи та аналіз шляхів витоку лінії.За допомогою методу OBIRCH можна ефективно локалізувати дефекти в ланцюгах, наприклад отвори в лініях, отвори під наскрізними отворами та ділянки високого опору в нижній частині наскрізних отворів.Подальші доповнення.
◆ Виявлення гарячих точок на РК-екрані: Використовуйте РК-екран для виявлення молекулярного розташування та реорганізації в точці витоку мікросхеми та відобразіть під мікроскопом зображення у формі плями, яке відрізняється від інших ділянок, щоб знайти точку витоку (точка несправності більше ніж 10 мА), що затруднить проектувальника під час фактичного аналізу.Шліфування чіпа з фіксованою/нефіксованою точкою: видаліть золоті виступи, імплантовані на Pad мікросхеми драйвера РК-дисплея, щоб Pad був повністю неушкодженим, що сприяє подальшому аналізу та повторному з’єднанню.
◆Неруйнівний рентгенівський контроль: виявлення різноманітних дефектів у ICупаковка мікросхеми, наприклад відшарування, розрив, порожнечі, цілісність проводки, друкована плата може мати деякі дефекти в процесі виробництва, такі як погане вирівнювання або перемикання, розрив, коротке замикання або аномалія Дефекти з’єднань, цілісність кульок припою в упаковках.
◆Ультразвукова дефектоскопія SAM (SAT) може неруйнівно виявити структуру всерединіICпакет мікросхем, а також ефективно виявляти різні пошкодження, спричинені вологою та тепловою енергією, як-от відшарування поверхні пластини O, кульки припою, пластини або наповнювачі. У пакувальному матеріалі є прогалини, пори всередині пакувального матеріалу, різні отвори, як-от поверхні з’єднання пластин , кульки припою, наповнювачі тощо.
Час публікації: 06 вересня 2022 р