На даний момент напівпровідникова промисловість все ще перебуває в циклі падіння,промисловість мікросхемзагалом стикається з тиском клієнтів, що скорочують замовлення та падають ціни на продукцію, але IGBT є двома основними застосуваннями: електромобілі та сонячні фотоелектричні попит, шалений ажіотаж товарів, недавній дефіцит великого, не тільки ціна зросла до небо, промисловість не «наскільки висока ціна проблеми, а просто не може купити», щоб описати ситуацію дефіциту.
IGBT – це єдина категорія напівпровідникових компонентів, яка змогла підвищити свою ціну та повністю випередити попит, головним чином через обмежену пропозицію продукції на даному етапі, але божевільне будівництво сонячних електростанцій, їхні інвертори мають величезну ціну. Попит на IGBT у поєднанні з високим попитом на IGBT в електромобілях основні виробники автомобілів часто розкуповують їх.
Повідомляється, що IGBT — це елемент перемикання потужності, який має репутацію «ЦП силової електроніки», це напівпровідниковий силовий елемент, що керується напругою, що складається з біполярного транзистора з переходом (BJT) і MOSFET (напівпольового транзистора з золотим киснем), з перевагами високого вхідного опору, високої витримуваної напруги та низького падіння напруги у відкритому стані.
З появою нових енергетичних транспортних засобів попит на високу напругу значно зріс, і IGBT стали центром промислового розвитку.Кількість IGBT, що використовуються в електромобілі, досягає сотень, що в сім-десять разів більше, ніж у традиційних транспортних засобах.У промисловості є серводвигуни змінного струму, інвертори, генерація вітрової та сонячної енергії та інші програми екологічної енергетики, а в сегменті високої напруги є високошвидкісні залізниці та інші застосування залізничного транспорту та електромереж.
Що стосується застосуванняIGBTу сонячному полі він знаходиться в інверторі.Як пристрій для перетворення електроенергії інвертор може перетворювати енергію, що зберігається в сонячній панелі, на загальнодоступну електроенергію, без інвертора електростанція не може працювати і займає ключову позицію в будівництві сонячних електростанцій.
Сонячна індустрія зазначила, що зі зростанням ефективності виробництва енергії сонячними модулями, модуль високої потужності є основною тенденцією ринку та може ефективно підвищити віддачу від інвестицій операторів електростанцій, тому багато сонячних інверторів тепер імпортуватимуть IGBT як силовий компонент, попит також почав процвітати.
Говорячи про те, наскільки мало IGBT?Голова Moody's Ye Zhengxian прямо сказав, що підвищення цін - це не нова річ, не проблема високих цін, а просто неможливо купити, дослідження прийшло до висновку, що хвиля дефіциту триватиме деякий час.
Крім того, згідно з ланцюгом постачання, Hanlei підвищив ціну ливарної лінії виробництва IGBT приблизно на 10% на початку цього року, а коли пропозицію ливарного виробництва пластин було в цілому скориговано, Hanlei збільшив ціну проти тенденції, підкреслюючи гарячі ринкові умови .
Відповідно до даних «2023 Q1 Chip Market Report», опублікованих Future Electronics 17 лютого 2023 року, IGBT Q1 компаній ST (STMicroelectronics), Microsemi, Infineon, IXYS таФейрчайлд(Fairchild Semiconductor), п’ять основних брендів, залишаються в основному такими ж, як і період поставки 4 кварталу 2022 року, причому термін поставки залишається коротким і становить щонайбільше 54 тижні.
Зокрема, у першому кварталі 2023 року час виконання IGBT для ST становить 47-52 тижні, для Microsemi – 42-52 тижні, для IXYS – 50-54 тижні, для Infineon – 39-50 тижнів, а Тривалість роботи IGBT Fairchild становить 39-52 тижні.Проте тенденції поставок і ціни цих 5 основних брендів є стабільними, без тенденції до зростання.
Згідно з галузевим аналізом, існує дві основні причини великого дефіциту IGBT. Перша полягає в тому, що поточна частка сонячних інверторів, які використовують IGBT, значно зросла.По-друге, напівпровідникова промисловість зараз перебуває в періоді пристосування, не тільки обмежена потужність, але також значна частина потужності була відібрана заводами електромобілів, що призвело до великого дефіциту IGBT під ефектом витіснення.
Час публікації: 22 березня 2023 р