(Зв'яжіться з найкращою ціною) IRFR7540TRPBF Електронні компоненти Деталі Інтегральна схема MCU Мікросхеми IRFR7540TRPBF
Атрибути продукту
| ТИП | ОПИС |
| Категорія | Дискретні напівпровідникові вироби |
| Виробник | Технології Infineon |
| Серія | StrongIRFET™ |
| Пакет | Стрічка та котушка (TR) Відрізана стрічка (CT) Digi-Reel® |
| Статус продукту | Активний |
| Тип FET | N-канал |
| технології | МОП-транзистор (оксид металу) |
| Напруга відведення до джерела (Vdss) | 60 В |
| Струм – безперервний злив (Id) при 25°C | 90A (Tc) |
| Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) | 6В, 10В |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,8 мОм при 66 А, 10 В |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3,7 В при 100 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 130 нКл при 10 В |
| Vgs (макс.) | ±20 В |
| Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds | 4360 пФ при 25 В |
| Функція FET | - |
| Розсіювана потужність (макс.) | 140 Вт (Tc) |
| Робоча температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажу | Поверхневий монтаж |
| Пакет пристроїв постачальника | D-PAK (TO-252AA) |
| Пакет / футляр | ТО-252-3, DPak (2 відведення + вкладка), SC-63 |
| Базовий номер продукту | IRFR7540 |
Документи та ЗМІ
| ТИП РЕСУРСУ | ПОСИЛАННЯ |
| Таблиці даних | IRF(R,U)7540PbF |
| Інші пов'язані документи | ІЧ система нумерації деталей |
| Рекомендований продукт | Системи обробки даних |
| Таблиця даних HTML | IRF(R,U)7540PbF |
| Моделі EDA | IRFR7540TRPBF від Ultra Librarian |
| Імітаційні моделі | Модель IRFR7540 Spice |
Екологічні та експортні класифікації
| АТРИБУТ | ОПИС |
| Статус RoHS | Відповідає ROHS3 |
| Рівень чутливості до вологи (MSL) | 1 (необмежено) |
| Статус REACH | REACH Не впливає |
| ECCN | EAR99 |
| ХЦУС | 8541.29.0095 |
Додаткові ресурси
| АТРИБУТ | ОПИС |
| Інші імена | SP001550214 IRFR7540TRPBFCT IRFR7540TRPBFDKR IRFR7540TRPBFTR |
| Стандартний пакет | 2000 |
Транзистор - це напівпровідниковий пристрій, який зазвичай використовується в підсилювачах або вимикачах з електронним керуванням.Транзистори є основними будівельними блоками, які регулюють роботу комп’ютерів, мобільних телефонів та всіх інших сучасних електронних схем.
Завдяки швидкій швидкості відгуку та високій точності транзистори можна використовувати для широкого спектру цифрових і аналогових функцій, включаючи підсилення, комутацію, регулятор напруги, модуляцію сигналу та генератор.Транзистори можуть бути упаковані окремо або в дуже маленькій площі, яка може вмістити 100 мільйонів або більше транзисторів як частину інтегральної схеми.
У порівнянні з електронною трубкою транзистор має багато переваг:
1. Компонент не споживає
Якою б хорошою не була трубка, вона поступово руйнуватиметься через зміни в атомах катода та хронічний витік повітря.З технічних причин у транзисторів була така ж проблема, коли вони були вперше виготовлені.Завдяки вдосконаленню матеріалів і вдосконаленню багатьох аспектів транзистори зазвичай служать у 100-1000 разів довше, ніж електронні лампи.
2. Споживає дуже мало енергії
Це лише одна десята або десятки однієї електронної трубки.Немає необхідності нагрівати нитку, щоб виробляти вільні електрони, як в електронній трубці.Транзисторному радіо потрібно лише кілька сухих батарейок, щоб слухати протягом шести місяців на рік, що важко зробити для лампового радіо.
3. Не потрібно попередньо розігрівати
Працює відразу після включення.Наприклад, транзисторний радіо вимикається, як тільки його вмикають, а транзисторний телевізор встановлює картинку, як тільки його вмикають.Обладнання з вакуумними лампами цього не може.Після завантаження почекайте деякий час, щоб почути звук, подивіться на картинку.Зрозуміло, що у військовій справі, вимірюванні, записі тощо транзистори є дуже вигідними.
4. Сильний і надійний
У 100 разів надійніший, ніж електронна трубка, стійкість до ударів, вібростійкість, незрівнянна з електронною трубкою.Крім того, розмір транзистора становить лише від однієї десятої до однієї сотої розміру електронної трубки, дуже мало виділення тепла, може бути використаний для розробки невеликих, складних, надійних схем.Хоча процес виробництва транзистора є точним, процес простий, що сприяє покращенню щільності встановлення компонентів.
