-
Китайський заводський новий оригінальний IRFS7440TRLPBF електронні компоненти, інтегральна схема, напівпровідникова мікросхема для продажу
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET®, StrongIRFET™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Оксид металу) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 40 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 120 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 6 В, 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 2.5... -
Інтегральні схеми IRFS3607TRLPBF IC Chip IRFS3607TRLPBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга відведення до джерела (Vdss) 75 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 80 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 9 мОм при 46 A, 10V Vgs... -
(Зв'яжіться з найкращою ціною) IRFR7540TRPBF Електронні компоненти Деталі Інтегральна схема MCU Мікросхеми IRFR7540TRPBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series StrongIRFET™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 60 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 90 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 6 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 4,8 мОм @ 66A... -
Інтегральні схеми IRFR3504ZTRPBF Контакт Найкраща ціна IC Chip IRFR3504ZTRPBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга відведення до джерела (Vdss) Струм 40 В – безперервне споживання (Id) при 25°C 42 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 9 мОм при 42 A, 10V Vgs... -
(Зв'яжіться з найкращою ціною) IRFR220NTRPBF Електронні компоненти Деталі Інтегральна схема MCU Мікросхеми IRFR220NTRPBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга відведення до джерела (Vdss) 200 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 5A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мінім. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 600 мОм при 2,9 A , 10 В ... -
IRFP4321PBF Електронні компоненти Частини Інтегральна схема IC Chips MCU IRFP4321PBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tube Status Product Status Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) Streak to Source Voltage (Vdss) 150 V Current – Continuous Drain (Id) при 25°C 78 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 15,5 мОм @ 33 A, 10 В Vgs(th) (макс.) @ Id 5 В @ 250 мкА Ворота Ча... -
IRFH5020TRPBF Мікроконтроллер Оригінальні та нові мікросхеми інтегральної схеми в наявності IRFH5020TRPBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Статус продукту Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 200 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 5,1 A (Ta) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мінім. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 55 мОм при 7,5 А, 10В... -
Інтегральні схеми IRFH5007TRPBF IC Chip IRFH5007TRPBF за найкращою ціною
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Last Time Buy FET Type N-Channel Technology MOSFET ( Оксид металу) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 75 В Струм – безперервний відтік (Id) при 25°C 17 A (Ta), 100 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мінім. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Ідентифікатор, Vgs 5,9 м... -
Новий оригінальний MOSFET TO-220-3 IRFB4321PBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr International Rectifier Series HEXFET® Package Bulk Product Status Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) Streak to Source Voltage (Vdss) 150 V Current – Continuous Drain (Id) при 25°C 85 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 15 мОм @ 33 A, 10 В Vgs(th) (макс.) @ Id 5 В @ затвор 250 мкА ча... -
(Зв'яжіться з найкращою ціною) IRFB4019PBF Електронні компоненти Деталі Інтегральна схема MCU Мікросхеми IRFB4019PBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series – Package Tube Статус продукту Активний FET Тип N-канальної технології MOSFET (оксид металу) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 150 В Струм – Безперервний відтік ( Id) @ 25°C 17 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 мОм @ 10 A, 10 В Vgs(th) (Max) @ Id 4,9 В @ 50 мкА Gate Заряд (Qg... -
Нові та оригінальні електронні компоненти IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF високої якості за конкурентоспроможною ціною
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга відведення до джерела (Vdss) 100 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 23 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 117 мОм при 14 A, 10 В ... -
Оптовий дистриб'ютор оригінальних частин IC Chip Інтегральна схема IRF8736TRPBF IC Chip
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 30 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 18 A (Ta) Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 4,8 мОм при 18A, 1...
