Мікросхема Merrill Нові та оригінальні в наявності електронні компоненти інтегральна схема IRFB4110PBF

Короткий опис:

Надішліть нам електронний лист Завантажити таблицю даних

Деталі продукту

Теги товарів

Атрибути продукту

ТИП	ОПИС
Категорія	Дискретні напівпровідникові вироби Транзистори – FET, MOSFET – одинарні
Виробник	Технології Infineon
Серія	HEXFET®
Пакет	трубка
Статус продукту	Активний
Тип FET	N-канал
технології	МОП-транзистор (оксид металу)
Напруга відведення до джерела (Vdss)	100 В
Струм – безперервний злив (Id) при 25°C	120A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)	10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4,5 мОм при 75 А, 10 В
Vgs(th) (Max) @ Id	4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	210 нКл при 10 В
Vgs (макс.)	±20 В
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds	9620 пФ при 50 В
Функція FET	-
Розсіювана потужність (макс.)	370 Вт (Tc)
Робоча температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу	Крізь отвір
Пакет пристроїв постачальника	ТО-220АВ
Пакет / футляр	ТО-220-3
Базовий номер продукту	IRFB4110

Документи та ЗМІ

ТИП РЕСУРСУ	ПОСИЛАННЯ
Таблиці даних	IRFB4110PbF
Інші пов'язані документи	ІЧ система нумерації деталей
Навчальні модулі продукту	Високовольтні інтегральні схеми (драйвери затворів HVIC)
Рекомендований продукт	Робототехніка та автоматизовані керовані транспортні засоби (AGV) Системи обробки даних
Таблиця даних HTML	IRFB4110PbF
Моделі EDA	IRFB4110PBF від SnapEDA
Імітаційні моделі	Модель IRFB4110PBF Sabre

Екологічні та експортні класифікації

АТРИБУТ	ОПИС
Статус RoHS	Відповідає ROHS3
Рівень чутливості до вологи (MSL)	1 (необмежено)
Статус REACH	REACH Не впливає
ECCN	EAR99
ХЦУС	8541.29.0095

Додаткові ресурси

АТРИБУТ

ОПИС

Інші імена

64-0076ПБФ-НД

64-0076ПБФ

SP001570598

Стандартний пакет

Сімейство силових МОП-транзисторів Strong IRFET™ оптимізовано для низьких RDS (увімкнено) і потужних струмів.Пристрої ідеально підходять для низькочастотних додатків, що вимагають продуктивності та міцності.Комплексне портфоліо стосується широкого спектру застосувань, включаючи двигуни постійного струму, системи керування батареями, інвертори та перетворювачі постійного струму.

Короткий опис функцій
Промисловий стандартний блок живлення через отвір
Високий рейтинг струму
Атестація продукції за стандартом JEDEC
Кремній, оптимізований для програм, що перемикаються нижче <100 кГц
Більш м’який корпус діода порівняно з кремнієвим попереднім поколінням
Доступне широке портфоліо

Переваги
Стандартна розпіновка дозволяє замінювати її
Пакет з можливістю передачі високого струму
Рівень кваліфікації галузевого стандарту
Висока продуктивність у низькочастотних додатках
Підвищена питома потужність
Надає розробникам гнучкість у виборі найбільш оптимального пристрою для їх застосування

Параметри

параметри	IRFB4110
Бюджетна ціна €/1 тис	1,99
ID (@25°C) макс	180 А
Монтаж	THT
Робоча температура min max	-55 °C 175 °C
Ptot макс	370 Вт
Пакет	ТО-220
Полярність	N
QG (тип @10 В)	150 нКл
Qgd	43 нКл
RDS (увімкнено) (при 10 В) макс	4,5 мОм
RthJC макс	0,4 К/Вт
Tj макс	175 °C
VDS макс	100 В
VGS(th) min max	3 В 2 В 4 В
VGS макс	20 В

Дискретні напівпровідникові вироби

До дискретних напівпровідникових виробів належать окремі транзистори, діоди та тиристори, а також невеликі масиви таких пристроїв, що складаються з двох, трьох, чотирьох чи іншої невеликої кількості подібних пристроїв в одному корпусі.Вони найчастіше використовуються для побудови ланцюгів зі значною напругою чи струмом, або для реалізації дуже простих функцій схеми.

Попередній: Специфікаційна пропозиція мікросхема драйвера електронних компонентів IR2103STRPBF

далі: Нова оригінальна інтегральна схема BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip

Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам