order_bg

продуктів

TO-252 IPD33CN10NG із високоякісним мікросхемним транзистором за новою та оригінальною ціною

Короткий опис:


Деталі продукту

Теги товарів

Атрибути продукту

ТИП ОПИС
Категорія Дискретні напівпровідникові вироби

Транзистори – FET, MOSFET – одинарні

Виробник Технології Infineon
Серія OptiMOS™
Пакет Стрічка та котушка (TR)

Відрізана стрічка (CT)

Digi-Reel®

Статус продукту Активний
Тип FET N-канал
технології МОП-транзистор (оксид металу)
Напруга відведення до джерела (Vdss) 100 В
Струм – безперервний злив (Id) при 25°C 27A (Tc)
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 10В
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 мОм при 27 А, 10 В
Vgs(th) (Max) @ Id 4 В при 29 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 24 нКл при 10 В
Vgs (макс.) ±20 В
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds 1570 пФ при 50 В
Функція FET -
Розсіювана потужність (макс.) 58 Вт (Tc)
Робоча температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу Поверхневий монтаж
Пакет пристроїв постачальника PG-TO252-3
Пакет / футляр ТО-252-3, DPak (2 відведення + вкладка), SC-63
Базовий номер продукту IPD33CN10

Повідомити про помилку інформації про продукт

Переглянути подібні

Документи та ЗМІ

ТИП РЕСУРСУ ПОСИЛАННЯ
Таблиці даних IPx3xCN10N G
Інші пов'язані документи Посібник з номерами деталей
Рекомендований продукт Системи обробки даних
Таблиця даних HTML IPx3xCN10N G
Імітаційні моделі MOSFET OptiMOS™ 100 В N-канальна спеціальна модель

Екологічні та експортні класифікації

АТРИБУТ ОПИС
Статус RoHS Відповідає ROHS3
Рівень чутливості до вологи (MSL) 1 (необмежено)
Статус REACH REACH Не впливає
ECCN EAR99
ХЦУС 8541.29.0095

Додаткові ресурси

АТРИБУТ ОПИС
Інші імена IPD33CN10NGATMA1-ND

IPD33CN10NGATMA1CT

IPD33CN10NGATMA1TR

SP001127812

IPD33CN10NGATMA1DKR

Стандартний пакет 2500

Транзистор - це напівпровідниковий пристрій, який зазвичай використовується в підсилювачах або вимикачах з електронним керуванням.Транзистори є основними будівельними блоками, які регулюють роботу комп’ютерів, мобільних телефонів та всіх інших сучасних електронних схем.

Завдяки швидкій швидкості відгуку та високій точності транзистори можна використовувати для широкого спектру цифрових і аналогових функцій, включаючи підсилення, комутацію, регулятор напруги, модуляцію сигналу та генератор.Транзистори можуть бути упаковані окремо або в дуже маленькій площі, яка може вмістити 100 мільйонів або більше транзисторів як частину інтегральної схеми.

У порівнянні з електронною трубкою транзистор має багато переваг:

Компонент не має споживання

Якою б хорошою не була трубка, вона поступово руйнуватиметься через зміни в атомах катода та хронічний витік повітря.З технічних причин у транзисторів була така ж проблема, коли вони були вперше виготовлені.Завдяки вдосконаленню матеріалів і вдосконаленню багатьох аспектів транзистори зазвичай служать у 100-1000 разів довше, ніж електронні лампи.

Споживає дуже мало енергії

Це лише одна десята або десятки однієї електронної трубки.Немає необхідності нагрівати нитку, щоб виробляти вільні електрони, як в електронній трубці.Транзисторному радіо потрібно лише кілька сухих батарейок, щоб слухати протягом шести місяців на рік, що важко зробити для лампового радіо.

Не потрібно попередньо розігрівати

Працює відразу після включення.Наприклад, транзисторний радіо вимикається, як тільки його вмикають, а транзисторний телевізор встановлює картинку, як тільки його вмикають.Обладнання з вакуумними лампами цього не може.Після завантаження почекайте деякий час, щоб почути звук, подивіться на картинку.Зрозуміло, що у військовій справі, вимірюванні, записі тощо транзистори є дуже вигідними.

Міцний і надійний

У 100 разів надійніший, ніж електронна трубка, стійкість до ударів, вібростійкість, незрівнянна з електронною трубкою.Крім того, розмір транзистора становить лише від однієї десятої до однієї сотої розміру електронної трубки, дуже мало виділення тепла, може бути використаний для розробки невеликих, складних, надійних схем.Хоча процес виробництва транзистора є точним, процес простий, що сприяє покращенню щільності встановлення компонентів.


  • Попередній:
  • далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам