-
IPD031N06L3G нові оригінальні електронні компоненти IC chip MCU BOM Service в наявності IPD031N06L3G
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 60 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 100 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,1 мОм при 100А... -
IMZA65R072M1H Мікросхеми Транзистори Електронні компоненти Інтегральна схема Конденсатор IMZA65R072M1H
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові вироби Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series - Package Tube Статус продукту Active FET Type - Technology - Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc) Drive Voltage (Max Rds) On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - FET Feature - Power Dissipation (Max) - Working Temperature - Base Product Number IMZA6.. . -
Перелік специфікацій IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Інтегральна схема
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Діоди – Випрямлячі – Масиви Виробник Infineon Technologies Series Rapid 2 Package Tube Статус продукту Конфігурація активного діода 1 пара Тип діода із загальним катодом Стандартна напруга – Зворотний постійний струм (Vr) (Макс.) 650 В Струм – Середній випрямлений ( Io) (на діод) 15A Напруга – Прямий (Vf) (Макс.) @ Якщо 2,2 V @ 15 A Швидке відновлення =< 500ns, > 200mA (Io) Зворотне відновлення... -
KWM Оригінальний новий транзистор BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Інтегральна схема мікросхеми в наявності
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 60 В Струм – безперервне споживання (Id) @ 25°C 40 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 6 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 мОм @ 20А, 10В... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Chip Нова оригінальна інтегральна схема
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 25 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 4,5 В, 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 6 мОм... -
(АКЦІЯ) BSS138NH6327 новий і оригінальний гарячий продукт електронних компонентів
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 60 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 230 мА (Ta) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 4,5 В, 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 3,5 Ом при 230 мА... -
Оригінальний новий в наявності MOSFET транзистор діод тиристор SOT-223 BSP125H6327 мікросхема електронний компонент
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 600 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 120 мА (Ta) Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ом @ 120 мА... -
Новий оригінальний MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) Струм 30 В – безперервне споживання (Id) при 25°C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 4,5 В, 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 2,8 м... -
Нова в наявності інтегральна схема TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 IC Chip
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 100 В струму – безперервна витрата (Id) при 25°C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мінім. Rds увімк.) 6 В, 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 16 мОг... -
Нова оригінальна інтегральна схема BSC100N06LS3G
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) Струм 60 В – безперервне споживання (Id) при 25°C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 4,5 В, 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 10mOh... -
BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ IC Chip оригінальний електронний компонент
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 100 В Струм – безперервне споживання (Id) @ 25°C 90 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 6 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50А, 10В... -
AQX BSC060N10NS3G Нова оригінальна інтегральна мікросхема BSC060N10NS3G Атрибути продукту
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) 100 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мінім. Rds увімк.) 6 В, 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 6mOh...
