-
ONEHONG Нова та оригінальна інтегральна схема гарячого продажу електронних компонентів Шеньчжень мікросхема BSC016N06NS
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти href=”https://www.digikey.com/en/products/filter/transistors-fets-mosfets-single/278″ Транзистори – FETs, MOSFETs – Single Ffr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Пакувальна стрічка та котушка (TR) Відрізана стрічка (CT) Digi-Reel® Статус продукту Активний польовий транзистор типу N-канальна технологія MOSFET (оксид металу) Напруга від джерела до джерела (Vdss) Струм 60 В – безперервний відтік (Id) при 25°C 30... -
Інтегральні схеми BFS481H6327 Регулювання/керування струмом Аналогові помножувачі Дільники
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові вироби Транзистори – Біполярні (BJT) – RF Mfr Серія Infineon Technologies - Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active Transistor Type 2 NPN (Dual) Voltage – Collector Пробій випромінювача (макс.) 12 В Частота – Перехід 8 ГГц Коефіцієнт шуму (дБ Типовий @ f) 0,9 дБ ~ 1,2 дБ @ 900 МГц ~ 1,8 ГГц Посилення 20 дБ Потужність – Макс. 175 мВт Посилення постійного струму (hFE) (мін.) ... -
AQX TPA3130D2DAPR Нова оригінальна мікросхема інтегральної схеми TPA3130D2DAPR
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Інтегровані схеми (IC) Вбудовані FPGA (програмована вентильна матриця) Виробник AMD Xilinx Series Spartan®-6 LX Package Tray Status Product Active Кількість LAB/CLB 7911 Кількість логічних елементів/комірок 101261 Загальна кількість біт RAM 4939776 Кількість введення/виведення 326 Напруга – живлення 1,14 В ~ 1,26 В Тип монтажу Поверхневий монтаж Робоча температура 0°C ~ 85°C (TJ) Упаковка / корпус 484-BBGA Упаковка пристрою постачальника 484-FBGA (23×23) ... -
IRF9540NSTRLPBF нові та оригінальні інтегральні схеми Електронні компоненти
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга відведення до джерела (Vdss) 100 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 23 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 117 мОм при 14 A, ... -
AQX IRF7416TRPBF Нова оригінальна інтегральна мікросхема IRF7416TRPBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Серія Infineon Technologies HEXFET® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга відведення до джерела (Vdss) 30 В Струм – безперервне споживання (Id) при 25°C 10 A (Ta) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 4,5 В, 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 20 мОм @ 5.6A, 1... -
IPD068P03L3G нові оригінальні електронні компоненти IC chip MCU BOM Service в наявності IPD068P03L3G
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Status Product Active FET Type P-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) ) Напруга від джерела до джерела (Vdss) Струм 30 В – безперервне споживання (Id) при 25°C 70 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On) 4,5 В, 10 В Rds On (Max) @ Id, Vgs 6,8 мОм при 70A, ... -
IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Chip новий електронний компонент
IPD042P03L3 G Польовий транзистор (FET), -30 В, D-PAK у режимі розширеного P-каналу Інноваційні сімейства Opti MOS™ від Infineon включають p-канальні силові MOSFET.Ці продукти незмінно відповідають найвищим вимогам щодо якості та продуктивності в ключових специфікаціях проектування системи живлення, таких як опір у відкритому стані та характеристики добротності.Короткий опис функцій Режим покращення Логічний рівень Лавинний рейтинг Швидке перемикання Dv/dt Рейтинг Безсвинцеве покриття RoHS, без галогенів Q... -
Нова оригінальна інтегральна схема BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Chip
BSZ040N06LS5 Логічний рівень силових МОП-транзисторів Infineon OptiMOS™ 5 дуже підходить для бездротової зарядки, адаптерів і телекомунікаційних додатків.Низький заряд затвора пристроїв (Q g) зменшує втрати при перемиканні без шкоди для втрат на провідність.Покращені показники ефективності дозволяють працювати на високих частотах перемикання.Крім того, привід логічного рівня забезпечує низьку порогову напругу затвора (V GS(th)), що дозволяє управляти МОП-транзисторами при напрузі 5 В і безпосередньо від мікроконтролерів.Короткий зміст... -
Мікросхема Merrill Нові та оригінальні в наявності електронні компоненти інтегральна схема IRFB4110PBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Дискретні напівпровідникові продукти Транзистори – FET, MOSFET – Single Mfr Infineon Technologies Series HEXFET® Package Tube Status Product Status Active FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) Streak to Source Voltage (Vdss) 100 V Current – Continuous Drain (Id) при 25°C 120 A (Tc) Напруга приводу (макс. Rds увімк., мін. Rds увімк.) 10 В Rds увімк. (макс.) @ Id, Vgs 4,5 мОм @ 75 A, 10 В Vgs(th) (макс.) @ Id 4 В @ 250 мкА Ворота Ча... -
Специфікаційна пропозиція мікросхема драйвера електронних компонентів IR2103STRPBF
Атрибути продукту ТИП ОПИС Категорія Інтегровані схеми (ІС) Керування живленням (PMIC) href=”https://www.digikey.sg/en/products/filter/gate-drivers/730″ Драйвери воріт Виробник Infineon Technologies Series - Пакувальна стрічка та Котушка (TR) Відрізана стрічка (CT) Digi-Reel® Статус продукту Активна керована конфігурація Напівмостовий тип каналу Незалежна кількість драйверів 2 Тип вентиля IGBT, N-канальний MOSFET Напруга – живлення 10 В ~ 20 В Логічна напруга – VIL, VIH .. . -
ICL5102 Нові та оригінальні компоненти електронних модулів пам’яті інтегральної мікросхеми IC Chip
З ICL5102 Infineon пропонує високоінтегрований комбінований контролер IC з універсальним входом від 70 В до 325 В, який дозволяє виробникам реалізовувати глобальні проекти, зберігаючи низькі витрати на різноманітність продукції та запаси.Найвища ефективність до 94 відсотків завдяки резонансній топології, коефіцієнт гармонійних спотворень менше 3,5 відсотка та коефіцієнт високої потужності понад 0,95 забезпечують більший світловий поток і менше теплове навантаження, створюючи економічно ефективні конструкції та зберігаючи витрати на світлодіоди та радіатор низький.Завдяки високій інте... -
ESD101B102ELE6327 Integrated Circuit Electronics Supplier New and Original in Stock Bom Service original
Технічні характеристики виробу Cd – Ємність діода 0,2 пФ Напруга фіксації 30 В Ipp – Піковий імпульсний струм 2 A Максимальна робоча температура + 125 C Мінімальна робоча температура – 55 C Кількість каналів 1 канал Упаковка/корпус TSSLP-2 Полярність Двонаправлений Pppm – розсіювання пікової потужності імпульсу 30 Вт Тип виробу TVS Діоди Тип наконечників SMD/SMT Vesd – Напруга ESD Повітряний зазор 14 кВ Vesd – Напруга ESD Контакт 12 кВ Робоча напруга 5,5 В Опис Придушувачі ESD / TVS...
